- слой кремния
- слой кремния
слой крэмнію
Русско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов. 2013.
Русско-белорусский словарь математических, физических и технических терминов. 2013.
слой кремния, полученный методом химического осаждения из паровой фазы — cheminiu gariniu būdu nusodintas silicio sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical vapor deposition silicon vok. chemische Gasphasenabscheidungssiliziumschicht, f rus. слой кремния, полученный методом химического… … Radioelektronikos terminų žodynas
КРЕМНИЯ ОКСИД — SiO, устойчив в газообразном состоянии (SiOr) выше 1000°С; для газа: C0p 29,901 Дж/(моль К), DH0 обр 100,000 кДж/моль, S0296211,489 Дж/(моль . К). При быстром охлаждении SiO конденсируется в аморфный продукт SiOx 1, (плота. 2,15 г/см 3)… … Химическая энциклопедия
Нитрид кремния — Нитрид кремния … Википедия
технология "подложки из кремния на изоляторе" — технология "подложки из кремния на изоляторе" Подложки SOI имеют изолирующий слой из оксида кремния, наложенного до того, как создаются транзисторы, что противодействует утечке тока. Используется для производства микросхем.… … Справочник технического переводчика
Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д … Википедия
SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… … Википедия
Спинтроника — (Спиновая электроника) раздел квантовой электроники, занимающийся изучением спинового токопереноса (спин поляризованного транспорта) в твердотельных веществах, в частности в гетероструктурах ферромагнетик парамагнетик или ферромагнетик… … Википедия
chemical vapor deposition silicon — cheminiu gariniu būdu nusodintas silicio sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical vapor deposition silicon vok. chemische Gasphasenabscheidungssiliziumschicht, f rus. слой кремния, полученный методом химического… … Radioelektronikos terminų žodynas